膜厚测量仪
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5742/小时总时长
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收费标准
机时0元/小时 -
设备型号
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当前状态
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管理员
汪旻 15001914982 -
放置地点
闵行校区闵行物理楼137-1
- 仪器信息
- 预约资源
- 检测项目
- 附件下载
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名称
膜厚测量仪
资产编号
22670602
型号
规格
F54-XY-200 F54-XY-200
产地
美国
厂家
优尼康科技有限公司
所属品牌
出产日期
购买日期
所属单位
物理学系
使用性质
科研
所属分类
上报
资产负责人
汪旻
联系电话
15001914982
联系邮箱
mwang@phy.ecnu.edu.cn
放置地点
闵行校区闵行物理楼137-1
- 主要规格&技术指标
- 主要功能及特色
- 样本检测注意事项
- 设备使用相关说明
- 备注
主要规格&技术指标
测量氧化硅厚度测量范围：20nm-40um；波长范围：380-1050nm；光斑尺寸：17umm和7um；测量n和k值最小厚度要求：100nm；准确度（较大者）：2nm或0.2%；精度：0.02nm (for 1000nm of SiO2 on Si.)；厚度标准片配置: SiO2 on Si标准片；反射率参考片配置：配置4/6/8英寸标准硅参考片
主要功能及特色
基本大部分透明、半透明（如：光刻胶、氧化硅、氮化硅等）的薄膜都可以测量，确保其可广泛用于各类薄膜厚度的量测，不仅单层薄膜可以测试，多层不同材料的薄膜也可以测试，采用无损非接触式光学测量，在不到一秒钟的时间内，即可得到膜层厚度，非常方便快速。高精度自动移动平台，可以任意设定点位多点自动测量。
样本检测注意事项
膜厚测量仪针对微化工芯片表面功能薄膜需定向分析的需求，该设备可用于测量分析纳米级薄膜膜层情况，改进镀膜工艺，监测膜层质量
设备使用相关说明
价格视样品测试数量难度确定
备注
允许共享给校内外单位使用，可委托实验室进行实验。
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检测项目
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