感应耦合等离子体增强化学气相沉积系统

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机时
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设备型号

当前状态

管理员

汪旻 15001914982

放置地点

闵行校区闵行物理楼135
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名称

感应耦合等离子体增强化学气相沉积系统

资产编号

24000663

型号

规格

Plasmarp100PECVD 台

产地

英国

厂家

Oxford Instruments Nanotechnology Tools Limited, Trading as Oxford Instruments Plasma Technology

所属品牌

出产日期

购买日期

所属单位

物理学系

使用性质

科研

所属分类

资产负责人

汪旻

联系电话

15001914982

联系邮箱

mwang@phy.ecnu.edu.cn

放置地点

闵行校区闵行物理楼135
  • 主要规格&技术指标
  • 主要功能及特色
  • 样本检测注意事项
  • 设备使用相关说明
  • 备注
主要规格&技术指标
氧化硅沉积速率 >40nm/min
氧化硅均匀性 4inch <±2%
氧化硅重复性 <±3%
氧化硅折射率 1.46~1.50
氧化硅折射率均匀性 <±0.005
氮氧化硅沉积速率 >10nm/min
氮氧化硅均匀性 4inch <±2%
氮氧化硅重复性 <±3%
氮氧化硅折射率 1.6~1.8
氮氧化硅折射率均匀性 <±0.01
主要功能及特色
本设备是研究和验证本项目中制备铌酸锂片上芯片的关键设备。由于该设备属于高端半导体加工工艺设备,国内技术不成熟,目前国内尚无相同类型仪器供货商,因此本项目拟进口采购感应耦合等离子体增强化学气相沉积系统。
样本检测注意事项
气相沉积
设备使用相关说明
根据送样议价
备注
不提供线上预约,直接联系设备管理员
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