原位高能电子衍射辅助脉冲激光沉积系统
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收费标准
机时0元/小时 -
设备型号
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当前状态
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管理员
陈斌斌 15900857206 -
放置地点
闵行校区信息楼110-112
- 仪器信息
- 检测项目
- 附件下载
- 公告
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名称
原位高能电子衍射辅助脉冲激光沉积系统
资产编号
23018304
型号
规格
Laser-MBE|| ||*
产地
中国
厂家
安徽外延科技有限公司
所属品牌
出产日期
购买日期
所属单位
极化材料与器件教育部重点实验室
使用性质
科研
所属分类
资产负责人
陈斌斌
联系电话
15900857206
联系邮箱
bbchen@phy.ecnu.edu.cn
放置地点
闵行校区信息楼110-112
- 主要规格&技术指标
- 主要功能及特色
- 样本检测注意事项
- 设备使用相关说明
- 备注
主要规格&技术指标
1、无磁316L材质真空腔体本底真空优于5× mbar，烘烤后低于6× mbar；
2、四路气体:流量质量控制器（MFC）控制，可控制工艺气压在0.005mbar至0.5 mbar调节，流量范围0-100sccm；
3、红外激光加热，功率100 W,最高加热温度：1100℃，PID控制技术，控制精度0.5℃；加热区域大小5到18 mm范围可调；
4、基片移动范围：XY行程±15 mm，Z方向行程150 mm，轴向360°， 倾角180°
2、四路气体:流量质量控制器（MFC）控制，可控制工艺气压在0.005mbar至0.5 mbar调节，流量范围0-100sccm；
3、红外激光加热，功率100 W,最高加热温度：1100℃，PID控制技术，控制精度0.5℃；加热区域大小5到18 mm范围可调；
4、基片移动范围：XY行程±15 mm，Z方向行程150 mm，轴向360°， 倾角180°
主要功能及特色
激光分子束外延系统可以将普通分子束外延（MBE）的超高真空、原位监测的优点和脉冲激光沉积（PLD）的易于控制化学组分、使用范围广等优点结合起来，能制备高质量的薄膜。并且整个生长过程是在超高真空环境下进行的，避免了杂质的影响，因而能制备出高纯的薄膜。
激光分子束外延（L-MBE）技术是制备高性能半导体器件，开发新材料的必需设备，通过控制薄膜制备过程中的工艺条件如气体流量、工作气压、激光能量等能使器件的性能完全不同。LMBE属于高端薄膜制备设备，适用于生长各种纳米尺度的单层膜或多层膜。
激光分子束外延（L-MBE）技术是制备高性能半导体器件，开发新材料的必需设备，通过控制薄膜制备过程中的工艺条件如气体流量、工作气压、激光能量等能使器件的性能完全不同。LMBE属于高端薄膜制备设备，适用于生长各种纳米尺度的单层膜或多层膜。
样本检测注意事项
为用户提供各种复杂组分氧化物单晶薄膜的高质量外延生长，尤其是具有高质量外延界面的氧化物异质结及多层膜结构，为探索新物理提供平台，为后续器件制备提供材料基础。
设备使用相关说明
考虑到激光器运行成本及实验室电、工艺气体的消耗成本，暂定为白天早上八点至下午五点，150元每小时。下午五点至晚上九点，80元每小时。
备注
申请用户需提前五个工作日邮件告知设备负责人，以便设备方安排时间。同时邮件中需注明要沉积的材料，是否具有挥发性毒性等，避免污染腔体。申请材料经设备负责人审核通过后，通过邮件方式告知申请人实验时间，并组织相关人员陪同指导实验。
检测项目
附件下载
公告
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